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Canale N 30 V 15 A (Ta), 55 A (Tc) 2W (Ta) A montaggio superficiale TO-252-3
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Canale N 30 V 15 A (Ta), 55 A (Tc) 2W (Ta) A montaggio superficiale TO-252-3
TO-252-3

DMNH3010LK3-13

Codice DigiKey
DMNH3010LK3-13-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Diodes Incorporated
Codice produttore
DMNH3010LK3-13
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 15A/55A TO252
Tempi di consegna standard del produttore
40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 30 V 15 A (Ta), 55 A (Tc) 2W (Ta) A montaggio superficiale TO-252-3
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Diodes Incorporated
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
15 A (Ta), 55 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
9,5mohm a 18A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
37 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
2075 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2W (Ta)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q101
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
TO-252-3
Contenitore/involucro
TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Codice componente base
DMNH3010
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2 500€ 0,27338€ 683,45
5 000€ 0,25260€ 1 263,00
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Prezzo unitario IVA esclusa:€ 0,27338
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 0,33352