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Canale N 30 V 15 A (Ta), 55 A (Tc) 2W (Ta) A montaggio superficiale TO-252-3
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Canale N 30 V 15 A (Ta), 55 A (Tc) 2W (Ta) A montaggio superficiale TO-252-3
TO-252-3

DMNH3010LK3-13

Codice DigiKey
DMNH3010LK3-13-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
DMNH3010LK3-13
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 15A/55A TO252
Tempi di consegna standard del produttore
40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 30 V 15 A (Ta), 55 A (Tc) 2W (Ta) A montaggio superficiale TO-252-3
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
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Categoria
Carica del gate (Qg) max a Vgs
37 nC @ 10 V
Produttore
Vgs (max)
±20V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
2075 pF @ 15 V
Stato componente
Attivo
Dissipazione di potenza (max)
2W (Ta)
Tipo FET
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia
Grado
Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Qualifica
AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
Contenitore del fornitore
TO-252-3
RDSon (max) a Id, Vgs
9,5mohm a 18A, 10V
Contenitore/involucro
Vgs(th) max a Id
2,5V a 250µA
Codice componente base
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (5)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
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Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2 500€ 0,28860€ 721,50
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 0,28860
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 0,35209