Name: DMN65D8LQ-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN65D8LQ-7DITR-ND
Price: 0.2196 EUR
Availability: InStock

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DMN65D8LQ-7
Codice DigiKey	DMN65D8LQ-7DITR-ND - Nastrato in bobina (TR) DMN65D8LQ-7DICT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) DMN65D8LQ-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMN65D8LQ-7
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 310mA (Ta) 370mW (Ta) A montaggio superficiale SOT-23-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 0.87 nC @ 10 V
Produttore Diodes Incorporated	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 22 pF @ 25 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 370mW (Ta)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 310mA (Ta)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 5V, 10V	Contenitore del fornitore SOT-23-3
RDSon (max) a Id, Vgs 3ohm a 115mA, 10V	Contenitore/involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) max a Id 2V a 250µA	Codice componente base DMN65

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Sostituti (2)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
2N7002E-T1-GE3	Vishay Siliconix	19	2N7002E-T1-GE3CT-ND	€ 0,60000	Simile
2N7002K_R1_00001	Panjit International Inc.	79 697	3757-2N7002K_R1_00001CT-ND	€ 0,10000	Simile

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 0,18000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 0,21960

DMN65D8LQ-7