Name: DMN65D8LQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMN65D8LQ-13TR-ND
Price: 0.2074 EUR
Availability: InStock

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DMN65D8LQ-13
Codice DigiKey	31-DMN65D8LQ-13TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 31-DMN65D8LQ-13CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 31-DMN65D8LQ-13DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMN65D8LQ-13
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 310mA (Ta) 370mW (Ta) A montaggio superficiale SOT-23-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Diodes Incorporated
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	310mA (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	3ohm a 115mA, 10V
Vgs(th) max a Id	2V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	0.87 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	22 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	370mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SOT-23-3
Contenitore/involucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Codice componente base	DMN65

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Nastrato in bobina (TR)