Name: DMN62D0LFD-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN62D0LFD-7DITR-ND
Price: 0.1342 EUR
Availability: InStock

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DMN62D0LFD-7
Codice DigiKey	DMN62D0LFD-7DITR-ND - Nastrato in bobina (TR) DMN62D0LFD-7DICT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) DMN62D0LFD-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMN62D0LFD-7
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 310MA 3DFN
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 310mA (Ta) 480mW (Ta) A montaggio superficiale X1-DFN1212-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 1V a 250µA
Produttore Diodes Incorporated	Carica del gate (Qg) max a Vgs 0.5 nC @ 4.5 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 31 pF @ 25 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 480mW (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 310mA (Ta)	Contenitore del fornitore X1-DFN1212-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 1,8V, 4V	Contenitore/involucro 3-UDFN
RDSon (max) a Id, Vgs 2ohm a 100mA, 4V	Codice componente base DMN62

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

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Nastrato in bobina (TR)