DMN61D9UW-7 Diodes Incorporated | FET, MOSFET singoli

DMN61D9UW-7 è obsoleto e non è più in produzione.

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DMN61D9UW-7
Codice DigiKey	DMN61D9UW-7DITR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMN61D9UW-7
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 340mA (Ta) 320mW (Ta) A montaggio superficiale SOT-323

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 1V a 250µA
Produttore Diodes Incorporated	Carica del gate (Qg) max a Vgs 0.4 nC @ 4.5 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR)	Vgs (max) ±20V
Stato componente Obsoleto	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 28.5 pF @ 30 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 320mW (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 340mA (Ta)	Contenitore del fornitore SOT-323
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 1,8V, 5V	Contenitore/involucro SC-70, SOT-323
RDSon (max) a Id, Vgs 2ohm a 50mA, 5V	Codice componente base DMN61