Name: DMN6066SSD-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN6066SSD-13TR-ND
Price: 1.2444 EUR
Availability: InStock

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DMN6066SSD-13
Codice DigiKey	DMN6066SSD-13TR-ND - Nastrato in bobina (TR) DMN6066SSD-13CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) DMN6066SSD-13DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMN6066SSD-13
Descrizione	MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8SO
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 60V 3,3A 1,8W A montaggio superficiale 8-SO
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Vgs(th) max a Id 3V a 250µA
Produttore Diodes Incorporated	Carica del gate (Qg) max a Vgs 10,3nC a 10V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 502pF a 30V
Stato componente Attivo	Potenza - Max 1,8W
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Configurazione 2 canali N (doppio)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Funzione FET Porta a livello logico	Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Tensione drain/source (Vdss) 60V	Contenitore del fornitore 8-SO
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 3,3A	Codice componente base DMN6066
RDSon (max) a Id, Vgs 66mohm a 4,5A, 10V

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Classificazioni ambientali e di esportazione

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Sostituti (3)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
SH8K32GZETB	Rohm Semiconductor	4 288	SH8K32GZETBCT-ND	€ 2,08000	Simile
SH8K32TB1	Rohm Semiconductor	10 004	SH8K32TB1CT-ND	€ 1,97000	Simile
STS4DNF60L	STMicroelectronics	6 913	497-3226-1-ND	€ 2,49000	Simile

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 1,02000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 1,24440

DMN6066SSD-13