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DMN3060LW-13
Diodes Incorporated
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 0,05290
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Equivalente parametrico

DMN3060LW-7
Diodes Incorporated
In magazzino: 2 995
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Scheda tecnica

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DMN3060LWQ-7
Diodes Incorporated
In magazzino: 2 596
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Scheda tecnica
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Canale N 30 V 2,6 A (Ta) 500mW (Ta) A montaggio superficiale SOT-323
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DMN3060LWQ-13

Codice DigiKey
31-DMN3060LWQ-13TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Diodes Incorporated
Codice produttore
DMN3060LWQ-13
Descrizione
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT323 T&R
Tempi di consegna standard del produttore
40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 30 V 2,6 A (Ta) 500mW (Ta) A montaggio superficiale SOT-323
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Diodes Incorporated
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
2,6 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
60mohm a 3,1 A, 10V
Vgs(th) max a Id
1,8V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
5.6 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
±12V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
395 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
500mW (Ta)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q101
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
SOT-323
Contenitore/involucro
SC-70, SOT-323
Codice componente base
DMN3060
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Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
10 000€ 0,05701€ 570,10
20 000€ 0,05219€ 1 043,80
30 000€ 0,04973€ 1 491,90
50 000€ 0,04697€ 2 348,50
70 000€ 0,04533€ 3 173,10
100 000€ 0,04432€ 4 432,00
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 0,05701
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 0,06955