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DMN3060LW-7
Diodes Incorporated
In magazzino: 2 995
Prezzo unitario : € 0,32000
Scheda tecnica

Equivalente parametrico

DMN3060LWQ-13
Diodes Incorporated
In magazzino: 0
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Scheda tecnica

Equivalente parametrico

DMN3060LWQ-7
Diodes Incorporated
In magazzino: 2 596
Prezzo unitario : € 0,35000
Scheda tecnica
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Canale N 30 V 2,6 A (Ta) 500mW (Ta) A montaggio superficiale SOT-323
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DMN3060LW-13

Codice DigiKey
31-DMN3060LW-13TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Diodes Incorporated
Codice produttore
DMN3060LW-13
Descrizione
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT323 T&R
Tempi di consegna standard del produttore
40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 30 V 2,6 A (Ta) 500mW (Ta) A montaggio superficiale SOT-323
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Diodes Incorporated
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
2,6 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
60mohm a 3,1 A, 10V
Vgs(th) max a Id
1,8V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
5.6 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
±12V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
395 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
500mW (Ta)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
SOT-323
Contenitore/involucro
SC-70, SOT-323
Codice componente base
DMN3060
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Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
10 000€ 0,05224€ 522,40
20 000€ 0,04775€ 955,00
30 000€ 0,04547€ 1 364,10
50 000€ 0,04290€ 2 145,00
70 000€ 0,04138€ 2 896,60
100 000€ 0,03995€ 3 995,00
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 0,05224
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 0,06373