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DMN3032L-7 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 31-DMN3032L-7TR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | DMN3032L-7 |
Descrizione | MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3 |
Tempi di consegna standard del produttore | 40 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 30 V 5,4 A (Ta) 800mW A montaggio superficiale SOT-23-3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 2V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 10.1 nC @ 10 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Vgs (max) ±20V |
Stato componente Attivo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 481 pF @ 15 V |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 800mW |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tensione drain/source (Vdss) 30 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore SOT-23-3 |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 31mOhm @ 5.8A, 10V |
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Sostituti (3)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| DMN3032L-13 | Diodes Incorporated | 0 | 31-DMN3032L-13TR-ND | € 0,05303 | Equivalente parametrico |
| DMN3032LQ-13 | Diodes Incorporated | 0 | 31-DMN3032LQ-13TR-ND | € 0,06298 | Equivalente parametrico |
| DMN3032LQ-7 | Diodes Incorporated | 0 | 31-DMN3032LQ-7TR-ND | € 0,09210 | Equivalente parametrico |
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Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,06120 | € 183,60 |
| 6 000 | € 0,05523 | € 331,38 |
| 9 000 | € 0,05218 | € 469,62 |
| 15 000 | € 0,04876 | € 731,40 |
| 21 000 | € 0,04673 | € 981,33 |
| 30 000 | € 0,04476 | € 1 342,80 |
| 75 000 | € 0,04043 | € 3 032,25 |
| 150 000 | € 0,03920 | € 5 880,00 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,06120 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 0,07466 |
