Name: DMN3025LSS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMN3025LSS-13TR-ND
Price: 0.6588 EUR
Availability: InStock

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DMN3025LSS-13
Codice DigiKey	31-DMN3025LSS-13TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 31-DMN3025LSS-13CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 31-DMN3025LSS-13DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMN3025LSS-13
Descrizione	MOSFET N CH 30V 7.2A 8-SO
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 7,2 A (Ta) 1,4W (Ta) A montaggio superficiale 8-SO
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2V a 250µA
Produttore Diodes Incorporated	Carica del gate (Qg) max a Vgs 13.2 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 641 pF @ 15 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 1,4W (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 7,2 A (Ta)	Contenitore del fornitore 8-SO
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
RDSon (max) a Id, Vgs 20mohm a 10A, 10V	Codice componente base DMN3025

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
DMN3025LSS-13	Diodes Incorporated	2 281	31-DMN3025LSS-13CT-ND	€ 0,54000	Equivalente parametrico

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Nastrato in bobina (TR)

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Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 0,54000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 0,65880

DMN3025LSS-13