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DMN3011LFVW-13
Diodes Incorporated
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DMN3011LFVWQ-13
Diodes Incorporated
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DMN3011LFVWQ-7
Diodes Incorporated
In magazzino: 0
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Scheda tecnica
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Canale N 30 V 58 A (Tc) 1,3W (Ta) Montaggio superficiale, fianchi impregnabili PowerDI3333-8 (SWP) tipo UX
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Canale N 30 V 58 A (Tc) 1,3W (Ta) Montaggio superficiale, fianchi impregnabili PowerDI3333-8 (SWP) tipo UX
DMTH43M8LFVW-7

DMN3011LFVW-7

Codice DigiKey
31-DMN3011LFVW-7TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Diodes Incorporated
Codice produttore
DMN3011LFVW-7
Descrizione
MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333
Tempi di consegna standard del produttore
40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 30 V 58 A (Tc) 1,3W (Ta) Montaggio superficiale, fianchi impregnabili PowerDI3333-8 (SWP) tipo UX
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Diodes Incorporated
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
58 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
11mohm a 30A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,25V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
19.7 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1130 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1,3W (Ta)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
Montaggio superficiale, fianchi impregnabili
Contenitore del fornitore
PowerDI3333-8 (SWP) tipo UX
Contenitore/involucro
8-PowerVDFN
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Scorte di fabbrica: 52 000
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Quantità
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Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2 000€ 0,15060€ 301,20
4 000€ 0,13734€ 549,36
6 000€ 0,13058€ 783,48
10 000€ 0,12299€ 1 229,90
14 000€ 0,11849€ 1 658,86
20 000€ 0,11411€ 2 282,20
50 000€ 0,11166€ 5 583,00
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 0,15060
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 0,18373