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DMN3011LFVW-7
Diodes Incorporated
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DMN3011LFVWQ-13
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DMN3011LFVWQ-7
Diodes Incorporated
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Canale N 30 V 58 A (Tc) 1,3W (Ta) Montaggio superficiale, fianchi impregnabili PowerDI3333-8 (SWP) tipo UX
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Canale N 30 V 58 A (Tc) 1,3W (Ta) Montaggio superficiale, fianchi impregnabili PowerDI3333-8 (SWP) tipo UX
DMTH43M8LFVW-7

DMN3011LFVW-13

Codice DigiKey
31-DMN3011LFVW-13TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Diodes Incorporated
Codice produttore
DMN3011LFVW-13
Descrizione
MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333
Tempi di consegna standard del produttore
40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 30 V 58 A (Tc) 1,3W (Ta) Montaggio superficiale, fianchi impregnabili PowerDI3333-8 (SWP) tipo UX
Scheda tecnica
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Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Diodes Incorporated
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
58 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
11mohm a 30A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,25V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
19.7 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1130 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1,3W (Ta)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
Montaggio superficiale, fianchi impregnabili
Contenitore del fornitore
PowerDI3333-8 (SWP) tipo UX
Contenitore/involucro
8-PowerVDFN
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Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3 000€ 0,14436€ 433,08
6 000€ 0,13222€ 793,32
9 000€ 0,12604€ 1 134,36
15 000€ 0,11909€ 1 786,35
21 000€ 0,11498€ 2 414,58
30 000€ 0,11306€ 3 391,80
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 0,14436
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 0,17612