Name: DMN2990UFA-7B
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN2990UFA-7BDITR-ND
Price: 0.7198 EUR
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

DMN2990UFA-7B
Codice DigiKey	DMN2990UFA-7BDITR-ND - Nastrato in bobina (TR) DMN2990UFA-7BDICT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) DMN2990UFA-7BDIDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMN2990UFA-7B
Descrizione	MOSFET N-CH 20V 510MA 3DFN
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 20 V 510mA (Ta) 400mW (Ta) A montaggio superficiale X2-DFN0806-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Filtra prodotti simili

Mostra attributi vuoti

Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 1V a 250µA
Produttore Diodes Incorporated	Carica del gate (Qg) max a Vgs 0.5 nC @ 4.5 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±8V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 27.6 pF @ 16 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 400mW (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 20 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 510mA (Ta)	Contenitore del fornitore X2-DFN0806-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 1,2V, 4,5V	Contenitore/involucro 3-XFDFN
RDSon (max) a Id, Vgs 990mohm a 100mA, 4,5V	Codice componente base DMN2990

Segnala un errore nelle informazioni sul prodotto

Documenti e risorse multimediali

Classificazioni ambientali e di esportazione

Altre risorse

In magazzino: 129 030

Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive

Quantità

Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®