Name: DMN62D1LFDQ-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMN62D1LFDQ-7TR-ND
Price: 0.5002 EUR
Availability: InStock

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DMN62D1LFDQ-7
Codice DigiKey	31-DMN62D1LFDQ-7TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 31-DMN62D1LFDQ-7CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 31-DMN62D1LFDQ-7DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMN62D1LFDQ-7
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 400MA 3DFN T&R 3
Tempi di consegna standard del produttore	24 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 400mA (Ta) 500mW A montaggio superficiale U-DFN1212-3 (tipo C)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Diodes Incorporated
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	400mA (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	1,5V, 4V
RDSon (max) a Id, Vgs	2ohm a 100mA, 4V
Vgs(th) max a Id	1V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	0.55 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	36 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	500mW
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	U-DFN1212-3 (tipo C)
Contenitore/involucro	3-PowerUDFN
Codice componente base	DMN62

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Nastrato in bobina (TR)