Equivalente parametrico
Simile

DMG4468LFG | |
|---|---|
Codice DigiKey | DMG4468LFGDITR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | DMG4468LFG |
Descrizione | MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 30 V 7,62 A (Ta) 990mW (Ta) A montaggio superficiale U-DFN3030-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | Vgs(th) max a Id 2V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 18.85 nC @ 10 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Vgs (max) ±20V |
Stato componente Fuori produzione presso DigiKey | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 867 pF @ 10 V |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 990mW (Ta) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tensione drain/source (Vdss) 30 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore U-DFN3030-8 |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 15mohm a 11,6A, 10V | Codice componente base |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| DMG4468LFG-7 | Diodes Incorporated | 0 | DMG4468LFG-7DITR-ND | € 0,31425 | Equivalente parametrico |
| RQ3E080BNTB | Rohm Semiconductor | 8 823 | RQ3E080BNTBCT-ND | € 0,59000 | Simile |



