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Equivalente parametrico


Diodes Incorporated
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 0,00000
Scheda tecnica

Simile


Rohm Semiconductor
In magazzino: 8 823
Prezzo unitario : € 0,59000
Scheda tecnica
Canale N 30 V 7,62 A (Ta) 990mW (Ta) A montaggio superficiale U-DFN3030-8
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DMG4468LFG-7

Codice DigiKey
DMG4468LFG-7DITR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
DMG4468LFG-7
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN
Tempi di consegna standard del produttore
24 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 30 V 7,62 A (Ta) 990mW (Ta) A montaggio superficiale U-DFN3030-8
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
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Mostra attributi vuoti
Categoria
Vgs(th) max a Id
2V a 250µA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
18.85 nC @ 10 V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Vgs (max)
±20V
Stato componente
Attivo
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
867 pF @ 10 V
Tipo FET
Dissipazione di potenza (max)
990mW (Ta)
Tecnologia
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore del fornitore
U-DFN3030-8
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
Contenitore/involucro
RDSon (max) a Id, Vgs
15mohm a 11,6A, 10V
Codice componente base
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (2)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
DMG4468LFGDiodes Incorporated0DMG4468LFGDITR-ND€ 0,00000Equivalente parametrico
RQ3E080BNTBRohm Semiconductor8 823RQ3E080BNTBCT-ND€ 0,59000Simile
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Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3 000€ 0,31425€ 942,75
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 0,31425
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 0,38339