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Equivalente parametrico
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DMC3009LPDWQ-13 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 31-DMC3009LPDWQ-13TR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | DMC3009LPDWQ-13 |
Descrizione | MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI506 |
Tempi di consegna standard del produttore | 40 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 30V 10,6A (Ta), 39A (Tc), 9,8A (Ta), 36,5A (Tc) 2,2W (Ta), 30,1W (Tc) A montaggio superficiale PowerDI5060-8 (tipo UXD) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
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Categoria | Carica del gate (Qg) max a Vgs 12nC a 10V, 46nC a 10V |
Produttore Diodes Incorporated | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 823pF a 15V, 2380pF a 15V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Potenza - Max 2,2W (Ta), 30,1W (Tc) |
Stato componente Attivo | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo) | Grado Automobilistico |
Configurazione Complementare canale N e P | Qualifica AEC-Q101 |
Tensione drain/source (Vdss) 30V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 10,6A (Ta), 39A (Tc), 9,8A (Ta), 36,5A (Tc) | Contenitore/involucro 8-PowerTDFN |
RDSon (max) a Id, Vgs 13mohm a 14,4A, 10V, 15mohm a 11,5A, 10V | Contenitore del fornitore PowerDI5060-8 (tipo UXD) |
Vgs(th) max a Id 3V a 250µA |
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Sostituti (1)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| DMC3009LPDW-13 | Diodes Incorporated | 0 | 31-DMC3009LPDW-13TR-ND | € 0,25294 | Equivalente parametrico |
Disponibile su ordinazione
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2 500 | € 0,30772 | € 769,30 |
| 5 000 | € 0,28498 | € 1 424,90 |
| 7 500 | € 0,27367 | € 2 052,53 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,30772 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 0,37542 |
