Name: DMC3009LPDW-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMC3009LPDW-13TR-ND
Price: 0.3109 EUR
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DMC3009LPDWQ-13

Diodes Incorporated

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Novità in DigiKey

MOSFET - Array 30V 10,6A (Ta), 39A (Tc), 9,8A (Ta), 36,5A (Tc) 2,2W (Ta) A montaggio superficiale PowerDI5060-8 (tipo UXD)

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DMC3009LPDW-13
Codice DigiKey	31-DMC3009LPDW-13TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMC3009LPDW-13
Descrizione	MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI506
Tempi di consegna standard del produttore	24 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 30V 10,6A (Ta), 39A (Tc), 9,8A (Ta), 36,5A (Tc) 2,2W (Ta) A montaggio superficiale PowerDI5060-8 (tipo UXD)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET
Produttore	Diodes Incorporated
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Attivo
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione	Complementare canale N e P
Funzione FET	-
Tensione drain/source (Vdss)	30V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	10,6A (Ta), 39A (Tc), 9,8A (Ta), 36,5A (Tc)
RDSon (max) a Id, Vgs	13mohm a 14,4A, 10V, 15mohm a 11,5A, 10V
Vgs(th) max a Id	3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	12nC a 10V, 46nC a 10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	823pF a 15V, 2380pF a 15V
Potenza - Max	2,2W (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	8-PowerTDFN
Contenitore del fornitore	PowerDI5060-8 (tipo UXD)

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Nastrato in bobina (TR)