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Vishay Siliconix
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Prezzo unitario : € 1,56000
Scheda tecnica
Canale P 30 V 14 A (Ta) 3,1W (Ta) A montaggio superficiale 8-SOIC
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AOSP21307

Codice DigiKey
785-1798-2-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
AOSP21307
Descrizione
MOSFET P-CH 30V 14A 8SOIC
Tempi di consegna standard del produttore
20 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale P 30 V 14 A (Ta) 3,1W (Ta) A montaggio superficiale 8-SOIC
Scheda tecnica
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Attributi del prodotto
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Mostra attributi vuoti
Categoria
Vgs(th) max a Id
2,3V a 250µA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
50 nC @ 10 V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Vgs (max)
±25V
Stato componente
Attivo
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1995 pF @ 15 V
Tipo FET
Dissipazione di potenza (max)
3,1W (Ta)
Tecnologia
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore del fornitore
8-SOIC
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
Contenitore/involucro
RDSon (max) a Id, Vgs
11,5mohm a 14A, 10V
Codice componente base
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (1)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
SI4425BDY-T1-E3Vishay Siliconix0SI4425BDY-T1-E3CT-ND€ 1,56000Simile
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Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3 000€ 0,26623€ 798,69
6 000€ 0,24610€ 1 476,60
9 000€ 0,23584€ 2 122,56
15 000€ 0,22432€ 3 364,80
21 000€ 0,21750€ 4 567,50
30 000€ 0,21088€ 6 326,40
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 0,26623
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 0,32480