SI9407BDY-T1-GE3
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SI4425BDY-T1-E3

Codice DigiKey
SI4425BDY-T1-E3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
SI4425BDY-T1-E3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
SI4425BDY-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Vishay Siliconix
Codice produttore
SI4425BDY-T1-E3
Descrizione
MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SO
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale P 30 V 8,8 A (Ta) 1,5W (Ta) A montaggio superficiale 8-SOIC
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
SI4425BDY-T1-E3 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Vishay Siliconix
Serie
TrenchFET®
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Obsoleto
Tipo FET
Canale P
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
8,8 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
12mohm a 11,4A, 10V
Vgs(th) max a Id
3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1,5W (Ta)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
8-SOIC
Contenitore/involucro
8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Codice componente base
SI4425
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 1,58000€ 1,58
10€ 1,00600€ 10,06
100€ 0,67630€ 67,63
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 1,58000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 1,92760