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Canale N 100 V 12 A (Ta), 150 A (Tc) 1,9W (Ta), 333W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
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AOB410L

Codice DigiKey
785-AOB410L-ND
Produttore
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Codice produttore
AOB410L
Descrizione
MOSFET N-CH 100V TO263
Tempi di consegna standard del produttore
20 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 100 V 12 A (Ta), 150 A (Tc) 1,9W (Ta), 333W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie
SDMOS™
Confezionamento
Sfuso
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
12 A (Ta), 150 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
7V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
6,5mohm a 20A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
129 nC @ 10 V
Vgs (max)
±25V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
7950 pF @ 50 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1,9W (Ta), 333W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
TO-263 (D2PAK)
Contenitore/involucro
TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base
AOB410
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Quantità
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Sfuso
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
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Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 1,39883
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 1,70657