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Product Highlights
Power Semiconductor - Silicon Carbide (SiC)
Data di pubblicazione: 2019-06-10
Silicon Carbide (SiC) devices have the potential to revolutionize today’s power electronics; featuring fast switching times, high blocking voltage capabilities & the ability to operate at high temperatures.
Soluzioni con inverter solare
Data di pubblicazione: 2024-06-03
Il portafoglio di inverter solari di Onsemi è progettato per consentire alle energie rinnovabili di creare soluzioni energetiche efficienti e a basse emissioni di carbonio. Per saperne di più visita DigiKey!
SiC Schottky Rectifier
Data di pubblicazione: 2015-08-28
GeneSiC is offering and continuously improving innovative Silicon Carbide power rectifiers for high voltage rating applications, with significant advantages.
Power Solutions
Data di pubblicazione: 2020-02-28
ROHM offers many solutions in a variety of industries for all of your power needs; ranging from current detection resistors, 1200V IGBTs, gate drivers and more.
Automotive SiC Schottky Barrier Diodes
Data di pubblicazione: 2024-10-31
ROHM Semiconductor SiC Schottky barrier diodes are designed to meet the demanding requirements of modern automotive applications.
Automotive Solutions
Data di pubblicazione: 2019-07-03
ROHM Semiconductor’s high-performance ICs and power devices are essential in the automotive industry's move towards electronification.
Caricatori EV c.c.
Data di pubblicazione: 2024-06-24
Scopri i componenti affidabili e ad alta efficienza di onsemi progettati per le stazioni di ricarica dei veicoli elettrici, quali moduli di alimentazione, controller e dispositivi di protezione. Assicurano prestazioni e sicurezza ottimali con una tecnologia avanzata, fornendo soluzioni complete per il mercato dei veicoli elettrici in continua evoluzione.
Diodi Schottky discreti al carburo di silicio
Data di aggiornamento: 2025-12-08
Diodo Schottky discreto al carburo di silicio di SemiQ.
Diodi Schottky in modulo al carburo di silicio
Data di aggiornamento: 2025-12-08
SemiQ presenta i diodi Schottky in modulo al carburo di silicio.
Infrastruttura energetica
Data di pubblicazione: 2022-04-15
onsemi offre anni di esperienza in tecnologie innovative e semiconduttori di potenza di prossima generazione altamente affidabili, inclusi MOSFET EliteSiC, diodi e altro per una varietà di applicazioni di potenza.
Diodi al carburo di silicio (SiC) a 1200 V, MOSFET e Moduli
Data di pubblicazione: 2015-07-06
ROHM è un produttore leader di tecnologie SiC che offrono una maggiore efficienza e una maggiore conducibilità termica in progetti ad alta tensione.
Diodi di potenza Schottky al carburo di silicio
Data di pubblicazione: 2013-02-06
Con capacità di sovracorrente transitoria superiori, coefficiente di temperatura positivo Vf, eccellente cifra di merito Qc/If e molto altro.
Transistor al carburo di silicio
Data di pubblicazione: 2013-02-05
I vantaggi di un transistor al carburo di silicio includono le basse perdite di commutazione, una maggiore efficienza, un funzionamento ad alta temperatura e la capacità di resistere a cortocircuiti ad alta corrente.
Diodo Schottky al carburo di silicio
Data di aggiornamento: 2019-02-19
Il diodo Schottky al carburo di silicio offre eccellenti capacità di sovracorrente transitoria e un coefficiente di temperatura positivo di Vf.
SiC Molded Modules (TRCDRIVE pack™/DOT247/HSDIP20)
Data di aggiornamento: 2026-03-10
La serie TRCDrive Pack™ di ROHM offre moduli di alimentazione in carburo di silicio (SiC) ad alte prestazioni in contenitori HSDIP20 e DOT-247, progettati per applicazioni automotive e industriali.
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