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Transistor al carburo di silicio
Transistor a supergiunzione al carburo di silicio di GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor presenta i transistor a supergiunzione al carburo di silicio normalmente spenti. I vantaggi dell'utilizzo di questo prodotto includono le basse perdite di commutazione, una maggiore efficienza, un funzionamento ad alta temperatura e la capacità di resistere a cortocircuiti ad alta corrente. Le opzioni a 1700 V comprendono 4 A a RDSon di 500 mΩ e 8 A a RDSon di 250 mΩ. Questi prodotti sono a norma RoHS e disponibili in un contenitore TO-247AB.
Caratteristiche
- Temperatura di funzionamento massima: 170 °C
- Prestazioni di commutazione indipendenti dalla temperatura
- Interruttore SiC senza ossido sul gate
- Adatto per il collegamento di un diodo anti-parallelo
- Coefficiente di temperatura positivo per facilitare il collegamento in parallelo
- Bassa carica del gate
- Bassa capacità elettrica intrinseca
Applicazioni
- Applicazioni aerospaziali e di difesa
- Strumentazione geotermica, per trivellazione petrolifera
- Veicoli elettrici ibridi (HEV)
- Inverter solari
- Alimentatori a commutazione (SMPS)
- Correzione del fattore di potenza (PFC)
- Riscaldamento a induzione
- Gruppi di continuità (UPS)
- Comandi di motori
Silicon Carbide Transistor
| Immagine | Codice produttore | Descrizione | Quantità disponibile | Prezzo | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
 | GA04JT17-247 | TRANS SJT 1700V 4A TO247AB | 0 - Immediatamente | $16.79 | Vedi i dettagli | |
 | GA08JT17-247 | TRANS SJT 1700V 8A TO247AB | 0 - Immediatamente | $38.94 | Vedi i dettagli |
Data di pubblicazione: 2013-02-05
