Diodi Schottky SiC da 1.200 V Gen 3

I diodi Schottky al carburo di silicio (SiC) da 1.200 V 16 Gen 3 di Vishay sono caratterizzati da un design MPS (Merged PIN Schottky). Combinano inoltre robustezza alle alte sovracorrenti transitorie con caduta di tensione diretta, carica capacitiva e corrente di dispersione inversa basse per aumentare l'efficienza e l'affidabilità dei progetti di potenza a commutazione. La struttura MPS dei diodi, con un lato posteriore assottigliato tramite la tecnologia di ricottura laser, riduce la caduta di tensione diretta. La bassa corrente di dispersione inversa tipica dei dispositivi riduce le perdite di conduzione, garantendo l'alta efficienza del sistema durante il funzionamento al minimo e a bassi carichi. Per migliorare ulteriormente l'efficienza, i diodi Gen 3 non hanno praticamente alcuna coda di recupero, a differenza dei diodi ultraveloci.

Questi diodi offrono PFC c.a./c.c. e raddrizzamento di uscita c.c./c.c. ad altissima frequenza in convertitori FBPS e LLC per applicazioni quali inverter solari, sistemi di immagazzinaggio dell'energia, strumenti e azionamenti industriali e data center.