Name: VS-3C10ET12S2L-M3
Brand: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SKU: 112-VS-3C10ET12S2L-M3TR-ND
Price: 6.8686 EUR
Availability: InStock

Diodi 1200 V 10A A montaggio superficiale TO-263AB (D2PAK)

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VS-3C10ET12S2L-M3
Codice DigiKey	112-VS-3C10ET12S2L-M3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 112-VS-3C10ET12S2L-M3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 112-VS-3C10ET12S2L-M3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Codice produttore	VS-3C10ET12S2L-M3
Descrizione	DIODE SIL CARB 1200V 10A TO263AB
Tempi di consegna standard del produttore	15 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Diodi 1200 V 10A A montaggio superficiale TO-263AB (D2PAK)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Diodi Raddrizzatori Diodi singoli	Velocità Tempo di recupero zero > 500mA (Io)
Produttore Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Tempo di recupero inverso (Trr) 0 ns
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Corrente - Dispersione inversa a Vr 60 µA @ 1200 V
Stato componente Attivo	Capacità a Vr, F 38pF a 800V, 1MHz
Tecnologia SiC (Silicon Carbide) Schottky	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max 1200 V	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Corrente - Media rettificata (Io) 10A	Contenitore del fornitore TO-263AB (D2PAK)
Tensione - Diretta (Vf) max a If 1.5 V @ 10 A	Temp. di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 175°C