Name: VS-3C10ET12T-M3
Brand: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SKU: 112-VS-3C10ET12T-M3-ND
Price: 7.7714 EUR
Availability: InStock

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VS-3C10ET12T-M3
Codice DigiKey	112-VS-3C10ET12T-M3-ND
Produttore	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Codice produttore	VS-3C10ET12T-M3
Descrizione	DIODE SIL CARB 1200V 10A TO220AC
Tempi di consegna standard del produttore	19 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Diodi 1200 V 10A Foro passante TO-220AC
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Diodi Raddrizzatori Diodi singoli
Produttore	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Serie	-
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Attivo
Tecnologia	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max	1200 V
Corrente - Media rettificata (Io)	10A
Tensione - Diretta (Vf) max a If	1.5 V @ 10 A
Velocità	Nessun tempo di ripristino > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (Trr)	0 ns
Corrente - Dispersione inversa a Vr	60 µA @ 1200 V
Capacità a Vr, F	38pF a 800V, 1MHz
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore/involucro	TO-220-2
Contenitore del fornitore	TO-220AC
Temp. di funzionamento - Giunzione	-55°C ~ 175°C

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Quantità

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Tubo

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1	€ 6,37000	€ 6,37
50	€ 3,43320	€ 171,66
100	€ 3,14970	€ 314,97
500	€ 2,66020	€ 1 330,10

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