MOSFET di potenza serie STripFET F7

I MOSFET a bassa tensione serie STripFET F7 di ST sono dotati di una struttura Trench-gate potenziata che abbassa la resistenza nello stato On del dispositivo, riducendo al contempo anche la capacitanza interna e la carica del gate per una commutazione più rapida ed efficiente. L'eccellente cifra di merito (FoM) e l'elevata robustezza a valanga contribuiscono a semplificare i progetti e a ridurre dimensioni e costi delle apparecchiature, aumentando l'affidabilità in applicazioni quali telecomunicazioni o sistemi di calcolo, inverter solari, automazione industriale e applicazioni automotive.

Rispetto alle precedenti serie STripFET F4 e F3, la nuova serie F7 presenta una resistenza nello stato On molto più bassa per area di die. Questa caratteristica semplifica le esigenze dei progettisti per i progetti ad alta potenza, riducendo il numero di dispositivi in parallelo.

MOSFET STripFET F7 a 80 V in H2PAK per progetti di controllo motore ad alta corrente con resistenza nello stato On di 1,7 mΩ, capacità di corrente fino a 200 A.

Aumentate l'efficienza dei progetti di controllo motore ad alta corrente del futuro con l'ultima generazione di MOSFET STripFET F7 a 80 V di ST montati in contenitore H2PAK a 2 e 6 conduttori ad alta corrente (fino a 200 A) e bassa resistenza termica. Offrono una combinazione di resistenza nello stato On molto bassa (1,7 mΩ) con un comportamento di commutazione ottimizzato per soddisfare i rigorosi requisiti di efficienza, eccellenti prestazioni EMI ed elevata robustezza a valanga, per progetti robusti (STH270N8F7-2 e STH270N8F7-6).

Caratteristiche e vantaggi

• Tra i valori più bassi di RDSon sul mercato
• RDSon x Q_g minima, per una maggiore efficienza del sistema e progetti più compatti
• Minimo rapporto C_rss/C_iss per l'immunità EMI
• Elevata robustezza a valanga