Diodi a barriera di Schottky SiC di prossima generazione

Microsemi presenta i diodi a barriera di Schottky SiC a 1200 V, 10 A, 20 A - a cui a breve si aggiungeranno versioni a 30 A e 50 A. Con un limite di impiego UIS ed energia a valanga del 20% superiore rispetto ai SiC concorrenti, robustezza alle altre sovracorrenti transitorie ripetitive, efficienza SiC intrinseca e i vantaggi di costo rispetto ai diodi Si, i diodi SiC di Microsemi sono ideali per applicazioni di elettrificazione come PFC e raddrizzamento dell'uscita in moduli ad alta tensione per stazioni di carica HEV/EV, caricatori su scheda, convertitori c.c./c.c., sistemi di recupero di energia e alimentatori a commutazione.

Vantaggi SiC SBD rispetto ai diodi Si

• Efficienza a tensioni superiori (>650 V) e frequenza di commutazione superiore
• Minore tensione diretta (V_F) per minori perdite statiche e maggiore efficienza energetica
• Basse EMI da una carica di recupero inverso quasi assente (Q_rr) durante hard-switching
• Funzionamento stabile a temperature più elevate (+175 °C)
• Efficienza di sistema con un aumento oltre il 25% della potenza di produzione a parità di dimensioni fisiche e minori costi (componenti magnetici e di filtraggio più piccoli, meno costi di raffreddamento/dissipatore di calore, ecc.)