IRFD9120 Vishay Siliconix | FET, MOSFET singoli

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IRFD9120
Codice DigiKey	IRFD9120-ND
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	IRFD9120
Descrizione	MOSFET P-CH 100V 1A 4DIP
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 100 V 1 A (Ta) 1,3W (Ta) Foro passante 4-HVMDIP
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IRFD9120 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Produttore Vishay Siliconix	Carica del gate (Qg) max a Vgs 18 nC @ 10 V
Confezionamento Sfuso	Vgs (max) ±20V
Stato componente Obsoleto	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 390 pF @ 25 V
Tipo FET Canale P	Dissipazione di potenza (max) 1,3W (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Tipo di montaggio Foro passante
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 1 A (Ta)	Contenitore del fornitore 4-HVMDIP
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro 4-DIP (0,300", 7,62mm)
RDSon (max) a Id, Vgs 600mohm a 600mA, 10V	Codice componente base IRFD9120

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