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IRF200S234 | |
|---|---|
Codice DigiKey | IRF200S234TR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | IRF200S234 |
Descrizione | MOSFET N-CH 200V 90A D2PAK |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 200 V 90 A (Tc) 417W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IRF200S234 Modelli |
Categoria | Vgs(th) max a Id 5V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 162 nC @ 10 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Vgs (max) ±20V |
Stato componente Obsoleto | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 6484 pF @ 50 V |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 417W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tensione drain/source (Vdss) 200 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore PG-TO263-3 |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 16,9mohm a 51A, 10V | Codice componente base |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| IXFA90N20X3 | IXYS | 0 | IXFA90N20X3-ND | € 10,98000 | Simile |
| SUM90142E-GE3 | Vishay Siliconix | 22 070 | 742-SUM90142E-GE3CT-ND | € 3,86000 | Simile |



