Name: IPT029N08N5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPT029N08N5ATMA1TR-ND
Price: 5.9902 EUR
Availability: OutOfStock

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IPT029N08N5ATMA1
Codice DigiKey	IPT029N08N5ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPT029N08N5ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPT029N08N5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPT029N08N5ATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 80V 52A/169A HSOF-8
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 80 V 52A (Ta), 169A (Tc) 168W (Tc) A montaggio superficiale PG-HSOF-8-1
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPT029N08N5ATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3,8V a 108µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 87 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™ 5	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 6500 pF @ 40 V
Stato componente Data di acquisto finale	Dissipazione di potenza (max) 168W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 80 V	Contenitore del fornitore PG-HSOF-8-1
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 52A (Ta), 169A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerSFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Codice componente base IPT029
RDSon (max) a Id, Vgs 2,9mohm a 150A, 10V