IPP052N08N5AKSA1 Infineon Technologies | FET, MOSFET singoli

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IPP052N08N5AKSA1
Codice DigiKey	IPP052N08N5AKSA1-ND
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPP052N08N5AKSA1
Descrizione	MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 80 V 80 A (Tc) 125W (Tc) Foro passante PG-TO220-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPP052N08N5AKSA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3,8V a 66µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 53 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Tubo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3770 pF @ 40 V
Stato componente Obsoleto	Dissipazione di potenza (max) 125W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio Foro passante
Tensione drain/source (Vdss) 80 V	Contenitore del fornitore PG-TO220-3
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 80 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-220-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Codice componente base IPP052
RDSon (max) a Id, Vgs 5,2mohm a 80A, 10V

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
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