IPB156N22NFDATMA1 Infineon Technologies | FET, MOSFET singoli

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SQM90142E_GE3

Vishay Siliconix

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Canale N 220 V 72 A (Tc) 300W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3-2

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IPB156N22NFDATMA1
Codice DigiKey	IPB156N22NFDATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPB156N22NFDATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPB156N22NFDATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPB156N22NFDATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 220V 72A TO263-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 220 V 72 A (Tc) 300W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3-2
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPB156N22NFDATMA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 270µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 87 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™ FD	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 6930 pF @ 110 V
Stato componente Fuori produzione presso DigiKey	Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 220 V	Contenitore del fornitore PG-TO263-3-2
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 72 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base IPB156
RDSon (max) a Id, Vgs 15,6mohm a 50A, 10V

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
SQM90142E_GE3	Vishay Siliconix	1	SQM90142E_GE3CT-ND	€ 3,55000	Simile

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