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EPC2019 Canale N 200V 8,5 A (Ta) A montaggio superficiale Stampo
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9.253 In Magazzino
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Dettaglio prezzi Prezzo unitario Prezzo totale
1 3,09000 € 3,09
10 2,77100 € 27,71
25 2,61880 € 65,47
100 2,26980 € 226,98
250 2,15340 € 538,35
500 1,93222 € 966,11

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  • Nastrati in bobina (nib)  : 917-1087-2-ND
  • Quantità minima di ordinazione: 1.000
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  • Prezzo unitario: € 1,58213
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  • Quantità minima di ordinazione: 1
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  • Prezzo unitario: Digi-Reel®
Codice Digi-Key 917-1087-1-ND
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Fabbricante

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Codice produttore EPC2019
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Descrizione GAN TRANS 200V 8.5A BUMPED DIE
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Tempi di consegna standard del produttore 12 settimane
Descrizione dettagliata

Canale N 200V 8,5 A (Ta) A montaggio superficiale Stampo

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Attributi del prodotto
Tipo Descrizione Seleziona tutto
Categorie
Fabbricante EPC
Serie eGaN®
Imballaggio Nastrato (CT) 
Stato componente Attivo
Tipo FET Canale N
Tecnologia GaNFET (nitruro di gallio)
Tensione drain/source (Vdss) 200V
Corrente - assorbimento continuo (Id) a 25 °C 8,5 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 5V
Rds On (max) - Id, Vgs 50mOhm a 7A, 5V
Vgs(th) (max) a Id 2,5V a 1,5mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs 2,5nC @ 5V
Vgs (max) +6V, -4V
Capacità ingresso (Ciss) max a Vds 270pF @ 100V
Funzione FET -
Dissipazione di potenza (max) -
Temperatura di funzionamento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore Stampo
Contenitore / involucro Stampo
 
Classificazioni ambientali e di esportazione
Stato senza piombo / Stato RoHS Senza piombo / A norma ROHS3
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (illimitato)
da usare con

EPC9053

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