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EPC2019 Canale N 200V 8,5 A (Ta) Montaggio superficiale (SMD, SMT) Stampo
Prezzo e disponibilità
 

Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR.
Dettaglio prezzi Prezzo unitario Prezzo totale
1 3,25000 € 3,25
10 2,90400 € 29,04
25 2,61320 € 65,33
100 2,38090 € 238,09
250 2,14860 € 537,15
500 1,92792 € 963,96

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Panoramica dei prodotti
Codice Digi-Key 917-1087-1-ND
Copia   917-1087-1-ND
Quantità disponibile 4.746
Spedizione immediata
Fabbricante

Copia   PartSearchCore.DksusService3.PidVid
Codice produttore

EPC2019

Copia   EPC2019
Descrizione GAN TRANS 200V 8.5A BUMPED DIE
Copia   GAN TRANS 200V 8.5A BUMPED DIE
Tempi di consegna standard del produttore 12 settimane
Descrizione dettagliata

Canale N 200V 8,5 A (Ta) Montaggio superficiale (SMD, SMT) Stampo

Copia   Canale N 200V 8,5 A (Ta)  Montaggio superficiale (SMD, SMT) Stampo
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Categorie
Fabbricante EPC
Serie eGaN®
Imballaggio ? Nastrato (CT) ?
Stato componente Attivo
Tipo FET Canale N
Tecnologia GaNFET (nitruro di gallio)
Tensione drain/source (Vdss) 200V
Corrente - assorbimento continuo (Id) a 25 °C 8,5 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 5V
Rds On (max) - Id, Vgs 50mOhm a 7A, 5V
Vgs(th) (max) a Id 2,5V a 1,5mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs 2,5nC @ 5V
Vgs (max) +6V, -4V
Capacità ingresso (Ciss) max a Vds 270pF @ 100V
Funzione FET -
Dissipazione di potenza (max) -
Temperatura di funzionamento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Montaggio superficiale (SMD, SMT)
Contenitore del fornitore Stampo
Contenitore / involucro Stampo
 
Classificazioni ambientali e di esportazione
Stato senza piombo / Stato RoHS Senza piombo / A norma RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (illimitato)
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14:02:30 6/18/2019