Name: EPC2012C
Brand: EPC
SKU: 917-1084-2-ND
Price: 4.1114 EUR
Availability: InStock

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EPC2012C
Codice DigiKey	917-1084-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 917-1084-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 917-1084-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	EPC
Codice produttore	EPC2012C
Descrizione	GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 200 V 5 A (Ta) A montaggio superficiale Stampo
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	EPC2012C Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 100mohm a 3A, 5V
Produttore EPC	Vgs(th) max a Id 2,5V a 1mA
Serie eGaN®	Carica del gate (Qg) max a Vgs 1.3 nC @ 5 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) +6V, -4V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 140 pF @ 100 V
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia GaNFET (nitruro di gallio)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 200 V	Contenitore del fornitore Stampo
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 5 A (Ta)	Contenitore/involucro Stampo
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 5V	Codice componente base EPC20