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EPC2001C Canale N 100V 36 A (Ta) A montaggio superficiale Ingombro stampo (barra di saldatura 11)
Prezzo e disponibilità
 

Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR.
Dettaglio prezzi Prezzo unitario Prezzo totale
1 3,94000 € 3,94
10 3,54000 € 35,40
25 3,34640 € 83,66
100 2,90030 € 290,03
250 2,75156 € 687,89
500 2,46896 € 1.234,48
1.000 2,08226 € 2.082,26

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Panoramica dei prodotti
Codice Digi-Key 917-1079-1-ND
Copia   917-1079-1-ND
Quantità disponibile 50.713
Spedizione immediata
Fabbricante

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Codice produttore

EPC2001C

Copia   EPC2001C
Descrizione GANFET TRANS 100V 36A BUMPED DIE
Copia   GANFET TRANS 100V 36A BUMPED DIE
Tempi di consegna standard del produttore 12 settimane
Descrizione dettagliata

Canale N 100V 36 A (Ta) A montaggio superficiale Ingombro stampo (barra di saldatura 11)

Copia   Canale N 100V 36 A (Ta)  A montaggio superficiale Ingombro stampo (barra di saldatura 11)
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Categorie
Fabbricante EPC
Serie eGaN®
Imballaggio ? Nastrato (CT) ?
Stato componente Attivo
Tipo FET Canale N
Tecnologia GaNFET (nitruro di gallio)
Tensione drain/source (Vdss) 100V
Corrente - assorbimento continuo (Id) a 25 °C 36 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 5V
Rds On (max) - Id, Vgs 7mOhm a 25A, 5V
Vgs(th) (max) a Id 2,5V a 5mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs 9nC @ 5V
Vgs (max) +6V, -4V
Capacità ingresso (Ciss) max a Vds 900pF @ 50V
Funzione FET -
Dissipazione di potenza (max) -
Temperatura di funzionamento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore Ingombro stampo (barra di saldatura 11)
Contenitore / involucro Stampo
 
Classificazioni ambientali e di esportazione
Stato senza piombo / Stato RoHS Senza piombo / A norma ROHS3
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (illimitato)
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