Image of ROHM Semiconductor's 650 V EcoGaN™ HEMT Power Devices and System-in-Package Power Stage Product

650 V EcoGaN™ HEMT Power Devices and System-in-Package Power Stage Products

ROHM Semiconductor

This presentation will provide an introduction to gallium nitride (GaN) power devices and their end application usage, as well as introduce the product lineup and advantages of 650 V EcoGaN™ HEMT discrete power devices and system-in-package (SiP) power stage solutions from ROHM.

PTM Published on: 2024-05-14

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Data di pubblicazione: 2024-10-07

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