Moduli driver di potenza

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Serie
Contenitore
Stato del prodotto
Tipo
Configurazione
Corrente
Tensione
Tensione - Isolamento
Grado
Qualifica
Tipo di montaggio
Contenitore/involucro
52 VQFN
MOSFET IPM 650V 55A 52-VQFN
Texas Instruments
2 120
In magazzino
1 : € 18,69000
Nastro pre-tagliato (CT)
2 000 : € 11,75536
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
MOSFET
Inverter a semiponte
55 A
650 V
-
-
-
A montaggio superficiale
52-VQFN piazzola esposta
SPM27CC
IGBT IPM 600V 20A 27-PWRDIP MOD
onsemi
237
In magazzino
1 : € 19,22000
Tubo
Tubo
Attivo
IGBT
Trifase
20 A
600 V
2500Vrms
-
-
Foro passante
Modulo 27-PowerDIP, conduttori sfalsati
SPM27CC
IGBT IPM 600V 30A 27-PWRDIP MOD
onsemi
564
In magazzino
1 : € 21,82000
Tubo
Tubo
Non per nuovi progetti
IGBT
Trifase
30 A
600 V
2500Vrms
-
-
Foro passante
Modulo 27-PowerDIP, conduttori sfalsati
CIPOS-Mini_24
MOSFET IPM 1.2KV 35A 24-PWRDIP
Infineon Technologies
222
In magazzino
1 : € 79,79000
Tubo
Tubo
Non per nuovi progetti
MOSFET
Invertitori trifase
35 A
1.2 kV
2500Vrms
-
-
Foro passante
Modulo 24-PowerDIP, conduttori sfalsati
39-VFQFN
MOSFET IPM 30V 70A 39-PWRVFQFN
onsemi
2 537
In magazzino
1 : € 4,50000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 1,57763
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
MOSFET
Monofase
70 A
30 V
-
-
-
A montaggio superficiale
39-PowerVFQFN
FSB50550AS
IPM SPM5 V4 RC 600V 4A
onsemi
1 272
In magazzino
1 : € 6,99000
Nastro pre-tagliato (CT)
450 : € 4,14567
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
IGBT
Invertitori trifase
4 A
600 V
1500Vrms
-
-
A montaggio superficiale
-
30-QFN
MOSFET IPM 650V 20A 30-PWRVQFN
Navitas Semiconductor, Inc.
2 851
In magazzino
1 : € 7,56000
Nastro pre-tagliato (CT)
5 000 : € 4,32946
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
MOSFET
Semiponte
20 A
650 V
-
-
-
A montaggio superficiale
30-PowerVQFN
231
In magazzino
1 : € 8,34000
Tubo
-
Tubo
Non per nuovi progetti
IGBT
Invertitori trifase
5 A
600 V
2000Vrms
-
-
Foro passante
Modulo 23-PowerDIP (0,748", 19,00mm)
CIPOS Series
IGBT IPM 600V 10A 24-PWRDIP MOD
Infineon Technologies
203
In magazzino
1 : € 9,36000
Tubo
Tubo
Non per nuovi progetti
IGBT
Trifase
10 A
600 V
2000Vrms
-
-
Foro passante
Modulo 24-PowerDIP, conduttori sfalsati
CIPOS Series
IGBT IPM 600V 15A 24-PWRDIP MOD
Infineon Technologies
302
In magazzino
1 : € 10,27000
Tubo
Tubo
Attivo
IGBT
Trifase
15 A
600 V
2000Vrms
-
-
Foro passante
Modulo 24-PowerDIP, conduttori sfalsati
26 PowerDIP
IGBT IPM 600V 15A 26-PWRDIP MOD
STMicroelectronics
325
In magazzino
1 : € 12,32000
Tubo
Tubo
Attivo
IGBT
Invertitori trifase
15 A
600 V
1500Vrms
-
-
Foro passante
Modulo 26-PowerDIP (1,157", 29,40mm)
FNx4x060x2
IGBT IPM 600V 15A 26-PWRDIP MOD
onsemi
709
In magazzino
1 : € 13,10000
Tubo
Tubo
Non per nuovi progetti
IGBT
Trifase
15 A
600 V
2000Vrms
-
-
Foro passante
Modulo 26-PowerDIP (1,024", 26,00mm)
FNx4x060x2
IGBT IPM 600V 10A 26-PWRDIP MOD
onsemi
247
In magazzino
1 : € 13,10000
Tubo
Tubo
Attivo
IGBT
Trifase
10 A
600 V
2000Vrms
-
-
Foro passante
Modulo 26-PowerDIP (1,024", 26,00mm)
CIPOS Series
IGBT IPM 600V 30A 24-PWRDIP MOD
Infineon Technologies
273
In magazzino
1 : € 16,10000
Tubo
Tubo
Attivo
IGBT
Trifase
30 A
600 V
2000Vrms
-
-
Foro passante
Modulo 24-PowerDIP, conduttori sfalsati
1 397
In magazzino
1 : € 17,51000
Tubo
Tubo
Attivo
IGBT
Trifase
30 A
600 V
2000Vrms
-
-
Foro passante
-
38-PowerDIP-Module-24-Leads
IGBT IPM 600V 15A 38-PWRDIP MOD
onsemi
374
In magazzino
800
Fabbrica
1 : € 17,66000
Tubo
-
Tubo
Attivo
IGBT
Invertitori trifase
15 A
600 V
2000Vrms
-
-
Foro passante
Modulo 38-PowerDIP, conduttori sfalsati, 24 conduttori
24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm)
IGBT IPM 600V 35A 24-PWRDIP MOD
Infineon Technologies
280
In magazzino
1 : € 18,27000
Tubo
Tubo
Attivo
IGBT
Invertitori trifase
35 A
600 V
2000Vrms
-
-
Foro passante
Modulo 24-PowerDIP, conduttori sfalsati
27-DIP Module
IGBT IPM 600V 40A 27-PWRDIP MOD
onsemi
974
In magazzino
240
Fabbrica
1 : € 24,04000
Tubo
Tubo
Attivo
IGBT
Invertitori trifase
40 A
600 V
2500Vrms
-
-
Foro passante
Modulo 27-PowerDIP, conduttori sfalsati
IM12B20EC1XKMA1
IGBT IPM 1.2KV 30A 24-PWRDIP MOD
Infineon Technologies
272
In magazzino
1 : € 24,66000
Tubo
Tubo
Attivo
IGBT
Invertitori trifase
30 A
1.2 kV
2500Vrms
-
-
Foro passante
Modulo 24-PowerDIP, conduttori sfalsati
LMG3526R030RQST
MOSFET IPM 650V 55A 52-VQFN
Texas Instruments
262
In magazzino
1 : € 26,93000
Nastro pre-tagliato (CT)
250 : € 20,23724
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
MOSFET
Inverter a semiponte
55 A
650 V
-
-
-
Montaggio superficiale, fianchi impregnabili
52-VQFN piazzola esposta
FNB34060T6
IGBT IPM 1.2KV 30A 27-PWRDIP MOD
onsemi
180
In magazzino
1 : € 30,43000
Tubo
-
Tubo
Attivo
IGBT
Invertitori trifase
30 A
1.2 kV
2500Vrms
-
-
Foro passante
Modulo 27-PowerDIP, conduttori sfalsati
LMG3526R030RQST
MOSFET IPM 650V 55A 52-VQFN
Texas Instruments
230
In magazzino
1 : € 31,20000
Nastro pre-tagliato (CT)
250 : € 21,52480
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
MOSFET
Inverter a semiponte
55 A
650 V
-
Automobilistico
AEC-Q100
Montaggio superficiale, fianchi impregnabili
52-VQFN piazzola esposta
IM12S60EA2XKMA1
MOSFET IPM 1.2KV 25A 24-PWRDIP
Infineon Technologies
156
In magazzino
1 : € 33,90000
Tubo
Tubo
Attivo
MOSFET
Invertitori trifase
25 A
1.2 kV
2500Vrms
-
-
Foro passante
Modulo 24-PowerDIP, conduttori sfalsati
NFVA35065L32
IGBT IPM 650V 50A 27-PWRDIP MOD
onsemi
105
In magazzino
1 : € 36,95000
Tubo
Tubo
Attivo
IGBT
Invertitori trifase
50 A
650 V
2500Vrms
Automobilistico
-
Foro passante
Modulo 27-PowerDIP, conduttori sfalsati
NFAL7565L4BT
IGBT IPM 650V 75A 31-PWRDIP MOD
onsemi
46
In magazzino
1 : € 51,67000
Tubo
Tubo
Attivo
IGBT
Invertitori trifase
75 A
650 V
2500Vrms
-
-
Foro passante
Modulo 31-PowerDIP (1,385", 35,17mm)
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Moduli driver di potenza


I moduli driver di potenza forniscono il contenimento fisico dei componenti di potenza, solitamente IGBT e MOSFET in configurazioni a semiponte o a una, due o tre fasi. I semiconduttori di potenza o die sono saldati o sinterizzati su un substrato di sostegno dei semiconduttori di potenza che fornisce il contatto elettrico e termico e, dove necessario, ha il ruolo di dielettrico. I moduli di potenza forniscono una maggiore densità di potenza e sono in molti casi più affidabili e più facili da raffreddare.