Moduli driver di potenza

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Serie
Contenitore
Stato del prodotto
Tipo
Configurazione
Corrente
Tensione
Tensione - Isolamento
Grado
Qualifica
Tipo di montaggio
Contenitore/involucro
573
In magazzino
1 : € 16,72000
Tubo
Tubo
Attivo
IGBT
Trifase
30 A
600 V
2000Vrms
-
-
Foro passante
-
STK541UC62K-E
IGBT IPM 600V 10A 23-PWRSIP MOD
onsemi
293
In magazzino
1 : € 20,15000
Tubo
-
Tubo
Non per nuovi progetti
IGBT
Trifase
10 A
600 V
2000Vrms
-
-
Foro passante
Modulo 23-PowerSIP, 19 conduttori, conduttori formati
52 VQFN
MOSFET IPM 650V 55A 52-VQFN
Texas Instruments
281
In magazzino
1 : € 22,32000
Nastro pre-tagliato (CT)
2 000 : € 11,17793
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
MOSFET
Inverter a semiponte
55 A
650 V
-
-
-
A montaggio superficiale
52-VQFN piazzola esposta
LMG3526R030RQST
MOSFET IPM 650V 55A 52-VQFN
Texas Instruments
230
In magazzino
1 : € 30,67000
Nastro pre-tagliato (CT)
250 : € 21,16100
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
MOSFET
Inverter a semiponte
55 A
650 V
-
Automobilistico
AEC-Q100
Montaggio superficiale, fianchi impregnabili
52-VQFN piazzola esposta
CIPOS-Mini_24
MOSFET IPM 1.2KV 35A 24-PWRDIP
Infineon Technologies
240
In magazzino
1 : € 74,80000
Tubo
Tubo
Non per nuovi progetti
MOSFET
Invertitori trifase
35 A
1.2 kV
2500Vrms
-
-
Foro passante
Modulo 24-PowerDIP (1,094", 27,80mm)
39-VFQFN
MOSFET IPM 30V 70A 39-PWRVFQFN
onsemi
2 679
In magazzino
1 : € 4,35000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 1,59749
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
MOSFET
Monofase
70 A
30 V
-
-
-
A montaggio superficiale
39-PowerVFQFN
30-QFN
MOSFET IPM 650V 12A 30-PWRVQFN
Navitas Semiconductor, Inc.
3 656
In magazzino
1 : € 5,08000
Nastro pre-tagliato (CT)
5 000 : € 2,81071
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
MOSFET
Semiponte
12 A
650 V
-
-
-
A montaggio superficiale
30-PowerVQFN
FSB50550AS
IPM SPM5 V4 RC 600V 4A
onsemi
822
In magazzino
1 : € 6,87000
Nastro pre-tagliato (CT)
450 : € 4,19784
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
IGBT
Invertitori trifase
4 A
600 V
1500Vrms
-
-
A montaggio superficiale
-
30-QFN
MOSFET IPM 650V 20A 30-PWRVQFN
Navitas Semiconductor, Inc.
2 856
In magazzino
1 : € 7,44000
Nastro pre-tagliato (CT)
5 000 : € 4,25629
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
MOSFET
Semiponte
20 A
650 V
-
-
-
A montaggio superficiale
30-PowerVQFN
240
In magazzino
1 : € 8,04000
Tubo
-
Tubo
Non per nuovi progetti
IGBT
Invertitori trifase
5 A
600 V
2000Vrms
-
-
Foro passante
Modulo 23-PowerDIP (0,748", 19,00mm)
24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm)
IGBT IPM 650V 30A 24-PWRDIP MOD
Infineon Technologies
115
In magazzino
1 : € 8,13000
Vassoio
Vassoio
Attivo
IGBT
Invertitori trifase
30 A
650 V
2000Vrms
-
-
Foro passante
Modulo 24-PowerDIP (1,028", 26,10mm)
CIPOS Series
IGBT IPM 600V 10A 24-PWRDIP MOD
Infineon Technologies
234
In magazzino
1 : € 10,11000
Tubo
Tubo
Non per nuovi progetti
IGBT
Trifase
10 A
600 V
2000Vrms
-
-
Foro passante
Modulo 24-PowerDIP (1,028", 26,10mm)
CIPOS Series
IGBT IPM 600V 15A 24-PWRDIP MOD
Infineon Technologies
336
In magazzino
1 : € 11,10000
Tubo
Tubo
Attivo
IGBT
Trifase
15 A
600 V
2000Vrms
-
-
Foro passante
Modulo 24-PowerDIP (1,028", 26,10mm)
CIPOS Series
IGBT IPM 600V 15A 24-PWRDIP MOD
Infineon Technologies
397
In magazzino
1 : € 11,39000
Tubo
Tubo
Non per nuovi progetti
IGBT
Trifase
15 A
600 V
2000Vrms
-
-
Foro passante
Modulo 24-PowerDIP (1,028", 26,10mm)
FNx4x060x2
IGBT IPM 600V 15A 26-PWRDIP MOD
onsemi
989
In magazzino
1 : € 13,26000
Tubo
Tubo
Non per nuovi progetti
IGBT
Trifase
15 A
600 V
2000Vrms
-
-
Foro passante
Modulo 26-PowerDIP (1,024", 26,00mm)
FNx4x060x2
IGBT IPM 600V 10A 26-PWRDIP MOD
onsemi
247
In magazzino
1 : € 13,26000
Tubo
Tubo
Attivo
IGBT
Trifase
10 A
600 V
2000Vrms
-
-
Foro passante
Modulo 26-PowerDIP (1,024", 26,00mm)
CIPOS Series
IGBT IPM 600V 20A 24-PWRDIP MOD
Infineon Technologies
119
In magazzino
1 : € 14,90000
Tubo
Tubo
Attivo
IGBT
Trifase
20 A
600 V
2000Vrms
-
-
Foro passante
Modulo 24-PowerDIP (1,028", 26,10mm)
CIPOS Series
IGBT IPM 600V 30A 24-PWRDIP MOD
Infineon Technologies
363
In magazzino
1 : € 15,63000
Tubo
Tubo
Attivo
IGBT
Trifase
30 A
600 V
2000Vrms
-
-
Foro passante
Modulo 24-PowerDIP (1,028", 26,10mm)
FND43060T2
IGBT IPM 600V 30A 26-PWRDIP MOD
onsemi
117
In magazzino
1 : € 16,07000
Tubo
Tubo
Attivo
IGBT
Invertitori trifase
30 A
600 V
2000Vrms
-
-
Foro passante
Modulo 26-PowerDIP (1,024", 26,00mm)
CIPOS Series
IGBT IPM 600V 30A 24-PWRDIP MOD
Infineon Technologies
273
In magazzino
1 : € 17,41000
Tubo
Tubo
Attivo
IGBT
Trifase
30 A
600 V
2000Vrms
-
-
Foro passante
Modulo 24-PowerDIP (1,028", 26,10mm)
CIPOS-Mini_24
MOSFET IPM 600V 20A 24-PWRDIP
Infineon Technologies
153
In magazzino
1 : € 17,63000
Tubo
Tubo
Attivo
MOSFET
Invertitori trifase
20 A
600 V
2000Vrms
-
-
Foro passante
Modulo 24-PowerDIP (1,028", 26,10mm)
CIPOS Series
IGBT IPM 600V 20A 24-PWRDIP MOD
Infineon Technologies
210
In magazzino
1 : € 17,77000
Tubo
Tubo
Data di acquisto finale
IGBT
Bifase
20 A
600 V
2000Vrms
-
-
Foro passante
Modulo 24-PowerDIP (1,028", 26,10mm)
38-PowerDIP-Module-24-Leads
IGBT IPM 600V 15A 38-PWRDIP MOD
onsemi
374
In magazzino
800
Fabbrica
1 : € 17,88000
Tubo
-
Tubo
Attivo
IGBT
Invertitori trifase
15 A
600 V
2000Vrms
-
-
Foro passante
Modulo 38-PowerDIP (0,610", 24,00mm), 24 conduttori
SPM27CC
IGBT IPM 600V 20A 27-PWRDIP MOD
onsemi
223
In magazzino
1 : € 19,47000
Tubo
Tubo
Attivo
IGBT
Trifase
20 A
600 V
2500Vrms
-
-
Foro passante
Modulo 27-PowerDIP (1,205", 30,60mm)
IM818LCCXKMA1-VIEW-B
IGBT IPM 1.2KV 20A 24-PWRDIP MOD
Infineon Technologies
277
In magazzino
1 : € 22,68000
Tubo
Sfuso
Tubo
Attivo
IGBT
Invertitori trifase
20 A
1.2 kV
2500Vrms
-
-
Foro passante
Modulo 24-PowerDIP (1,094", 27,80mm)
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Moduli driver di potenza


I moduli driver di potenza forniscono il contenimento fisico dei componenti di potenza, solitamente IGBT e MOSFET in configurazioni a semiponte o a una, due o tre fasi. I semiconduttori di potenza o die sono saldati o sinterizzati su un substrato di sostegno dei semiconduttori di potenza che fornisce il contatto elettrico e termico e, dove necessario, ha il ruolo di dielettrico. I moduli di potenza forniscono una maggiore densità di potenza e sono in molti casi più affidabili e più facili da raffreddare.