Moduli driver di potenza

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Quantità disponibile
Prezzo
Serie
Contenitore
Stato del prodotto
Tipo
Configurazione
Corrente
Tensione
Tensione - Isolamento
Grado
Qualifica
Tipo di montaggio
Contenitore/involucro
39-VFQFN
FDMF5062
SMART POWER STAGE 70A 39PQFN
onsemi
269
In magazzino
1 : € 4,42000
Nastro pre-tagliato (CT)
3 000 : € 1,62570
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
MOSFET
Monofase
70 A
30 V
-
-
-
A montaggio superficiale
39-PowerVFQFN
30-QFN
NV6128
GANFAST SINGLE, 650V, 70MOHMS, P
Navitas Semiconductor, Inc.
3 165
In magazzino
1 : € 7,57000
Nastro pre-tagliato (CT)
5 000 : € 4,33147
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
MOSFET
Semiponte
20 A
650 V
-
-
-
A montaggio superficiale
30-PowerVQFN
CIPOS Series
IKCM30F60GAXKMA1
IFPS MODULE 600V 30A 24PWRDIP
Infineon Technologies
301
In magazzino
1 : € 14,46000
Tubo
Tubo
Attivo
IGBT
Trifase
30 A
600 V
2000Vrms
-
-
Foro passante
Modulo 24-PowerDIP (1,028", 26,10mm)
52 VQFN
LMG3522R030RQSR
650-V 30-M GAN FET WITH INTEGRAT
Texas Instruments
1 510
In magazzino
1 : € 22,72000
Nastro pre-tagliato (CT)
2 000 : € 11,37536
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
MOSFET
Inverter a semiponte
55 A
650 V
-
-
-
A montaggio superficiale
52-VQFN piazzola esposta
LMG3526R030RQST
LMG3522R030QRQSTQ1
AUTOMOTIVE 650-V 30-M GAN FET WI
Texas Instruments
206
In magazzino
1 : € 31,21000
Nastro pre-tagliato (CT)
250 : € 21,53476
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
MOSFET
Inverter a semiponte
55 A
650 V
-
Automobilistico
AEC-Q100
Montaggio superficiale, fianchi impregnabili
52-VQFN piazzola esposta
IM818LCCXKMA1-VIEW-B
IM818LCCXKMA1
CIPOS MAXI 1200V 15A PG-MDIP-24
Infineon Technologies
11
In magazzino
713
Marketplace
1 : € 32,29000
Tubo
12 : € 23,45417
Sfuso
Sfuso
Tubo
Attivo
IGBT
Invertitori trifase
20 A
1.2 kV
2500Vrms
-
-
Foro passante
Modulo 24-PowerDIP (1,094", 27,80mm)
32
In magazzino
1 : € 578,03000
Sfuso
-
Sfuso
Attivo
MOSFET
Trifase
10 A
50 V
-
-
-
A montaggio superficiale
Modulo 18-SMD
SPM27CC
FSBB20CH60C
MODULE SPM 600V 20A 27PWRDIP
onsemi
273
In magazzino
1 : € 19,81000
Tubo
Tubo
Non per nuovi progetti
IGBT
Trifase
20 A
600 V
2500Vrms
-
-
Foro passante
Modulo 27-PowerDIP (1,205", 30,60mm)
CIPOS-Mini_24
IM828XCCXKMA1
CIPOS MAXI 1200V 35A PG-MDIP-24
Infineon Technologies
166
In magazzino
Attivo
Tubo
Attivo
MOSFET
Invertitori trifase
35 A
1.2 kV
2500Vrms
-
-
Foro passante
Modulo 24-PowerDIP (1,094", 27,80mm)
STK541UC62K-E
STK541UC62K-E
MOD IPM 600V 10A 23PWRSIP
onsemi
160
In magazzino
1 : € 20,50000
Tubo
-
Tubo
Non per nuovi progetti
IGBT
Trifase
10 A
600 V
2000Vrms
-
-
Foro passante
Modulo 23-PowerSIP, 19 conduttori, conduttori formati
22-QFN
AOZ5507QI_2
25V/30A 5X5 DRMOS POWER MODULE
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
8 700
In magazzino
1 : € 2,26000
Nastro pre-tagliato (CT)
5 000 : € 0,65138
Nastrato in bobina (TR)
-
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
MOSFET
Monofase
30 A
-
-
-
-
A montaggio superficiale
Modulo 22-PowerVFQFN
30-QFN
NV6127
IC PWR GANFAST N-CH 1:1 30QFN
Navitas Semiconductor, Inc.
3 960
In magazzino
1 : € 5,17000
Nastro pre-tagliato (CT)
5 000 : € 2,69309
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
MOSFET
Semiponte
12 A
650 V
-
-
-
A montaggio superficiale
30-PowerVQFN
NV6115
NV6117
IC PWR GANFAST N-CH 1:1 8QFN
Navitas Semiconductor, Inc.
1 925
In magazzino
1 : € 5,17000
Nastro pre-tagliato (CT)
5 000 : € 2,69309
Nastrato in bobina (TR)
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Attivo
MOSFET
Semiponte
12 A
650 V
-
-
-
A montaggio superficiale
8-PowerVDFN
163
In magazzino
1 : € 9,18000
Tubo
Tubo
Attivo
IGBT
Trifase
10 A
600 V
2000Vrms
-
-
Foro passante
Modulo 24-PowerDIP (1,028", 26,10mm)
554
In magazzino
1 : € 9,27000
Tubo
Tubo
Attivo
IGBT
Trifase
15 A
600 V
2000Vrms
-
-
Foro passante
Modulo 24-PowerDIP (1,028", 26,10mm)
219
In magazzino
1 : € 10,27000
Tubo
Tubo
Attivo
IGBT
Trifase
15 A
600 V
2000Vrms
-
-
Foro passante
Modulo 24-PowerDIP (1,028", 26,10mm)
FNx4x060x2
FNB41060B2
IGBT 3PH 600V 10A MODULE
onsemi
140
In magazzino
1 : € 13,18000
Tubo
Tubo
Non per nuovi progetti
IGBT
Trifase
10 A
600 V
2000Vrms
-
-
Foro passante
Modulo 26-PowerDIP (1,024", 26,00mm)
FNx4x060x2
FNB41060
MOD SPM 600V 10A SPM26-AA
onsemi
172
In magazzino
1 : € 13,50000
Tubo
Tubo
Attivo
IGBT
Trifase
10 A
600 V
2000Vrms
-
-
Foro passante
Modulo 26-PowerDIP (1,024", 26,00mm)
FNx4x060x2
FNB43060T2
MODULE SPM 600V 30A SPMAB
onsemi
0
In magazzino
Verifica i tempi di consegna
1 : € 15,19000
Tubo
Tubo
Attivo
IGBT
Trifase
30 A
600 V
2000Vrms
-
-
Foro passante
Modulo 26-PowerDIP (1,024", 26,00mm)
FPDB40PH60B
FPDB40PH60B
MODULE SPM 600V 40A SPMGC
onsemi
122
In magazzino
1 : € 17,66000
Tubo
Tubo
Non per nuovi progetti
IGBT
Bifase
40 A
600 V
2500Vrms
-
-
Foro passante
Modulo 27-PowerDIP (1,205", 30,60mm)
FNA21012A
FNA25060
MOD SPM 600V 50A SPMCA-A34
onsemi
36
In magazzino
18 984
Fabbrica
1 : € 58,86000
Tubo
Tubo
Attivo
IGBT
Trifase
50 A
600 V
2500Vrms
-
-
Foro passante
Modulo 34-PowerDIP (1,480", 37,60mm)
2SP0430T2A0C-FF1800R17IP5
2SP0430T2A0C-FF1800R17IP5
SCALE-2 PNP DUAL GATE DRVR 1.7KV
Power Integrations
558
In magazzino
1 : € 187,40000
Vassoio
Vassoio
Attivo
IGBT
Invertitori trifase
1800 A
1.7 kV
5000Vrms
-
-
-
Modulo
CIPOS Series
IKCM20R60GDXKMA1
IFPS MODULE 600V 20A 24PWRDIP
Infineon Technologies
280
In magazzino
1 : € 14,47000
Tubo
Tubo
Attivo
IGBT
Bifase
20 A
600 V
2000Vrms
-
-
Foro passante
Modulo 24-PowerDIP (1,028", 26,10mm)
CIPOS Series
IGCM20F60GAXKMA1
IGBT 600V 20A 24PWRDIP MOD
Infineon Technologies
279
In magazzino
1 : € 11,91000
Tubo
Tubo
Attivo
IGBT
Trifase
20 A
600 V
2000Vrms
-
-
Foro passante
Modulo 24-PowerDIP (1,028", 26,10mm)
CIPOS Series
IKCM30F60GDXKMA1
IFPS MODULE 600V 30A 24PWRDIP
Infineon Technologies
224
In magazzino
1 : € 16,11000
Tubo
Tubo
Attivo
IGBT
Trifase
30 A
600 V
2000Vrms
-
-
Foro passante
Modulo 24-PowerDIP (1,028", 26,10mm)
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Moduli driver di potenza

I moduli driver di potenza forniscono il contenimento fisico dei componenti di potenza, solitamente IGBT e MOSFET in configurazioni a semiponte o a una, due o tre fasi. I semiconduttori di potenza o die sono saldati o sinterizzati su un substrato di sostegno dei semiconduttori di potenza che fornisce il contatto elettrico e termico e, dove necessario, ha il ruolo di dielettrico. I moduli di potenza forniscono una maggiore densità di potenza e sono in molti casi più affidabili e più facili da raffreddare.