Gate driver

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Codice produttore	Quantità disponibile	Prezzo	Serie	Contenitore	Stato del prodotto	Programmabile da DigiKey	Configurazione comandata	Tipo di canale	N. di driver	Tipo di gate	Tensione - Alimentazione	Tensione logica - VIL, VIH	Corrente - Uscita di picco (source, drain)	Tipo di ingresso	Tensione high-side - Max (bootstrap)	Tempo di salita/discesa (tip.)	Temperatura di funzionamento	Grado	Qualifica	Tipo di montaggio	Contenitore/involucro	Contenitore del fornitore
ZXGD3009E6TA IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT26 Diodes Incorporated	4 788 In magazzino	1 : € 0,28000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,11327 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Non verificato	Lato inferiore	Singolo	1	MOSFET (canale N)	40V (max)	-	1A, 1A	Non invertente	-	210ns, 240ns	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobilistico	AEC-Q101	A montaggio superficiale	SOT-23-6	SOT-26
NCP81151MNTBG IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DFN onsemi	16 584 In magazzino 363 000 Fabbrica	1 : € 0,31000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,12929 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Non verificato	Semiponte	Sincrono	2	MOSFET (canale N)	4,5 ~ 5,5V	0,6V, 3,3V	-	Non invertente	40 V	16ns, 11ns	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	8-VFDFN piazzola esposta	8-DFN (2x2)
ZXGD3006E6TA IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT26 Diodes Incorporated	4 639 In magazzino	1 : € 0,42000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,18571 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Non verificato	Lato inferiore	Singolo	1	IGBT, MOSFET SiC	40V (max)	-	10A, 10A	Non invertente	-	48ns, 35ns	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-23-6	SOT-26
1EDN8511BXUSA1 IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6 Infineon Technologies	6 862 In magazzino	1 : € 0,56000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,24918 Nastrato in bobina (TR)	EiceDRIVER™	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Non verificato	Lato inferiore	Singolo	1	GaN FET, MOSFET (canale N)	8 ~ 20V	1,2V, 1,9V	4A, 8A	Invertente, Non invertente	200 V	6,5ns, 4,5ns	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-23-6	PG-SOT23-6-2
1EDN7512BXTSA1 IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5 Infineon Technologies	3 559 In magazzino	1 : € 0,56000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,24918 Nastrato in bobina (TR)	EiceDRIVER™	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Non verificato	Lato inferiore	Singolo	1	GaN FET, MOSFET (canale N)	4.5 ~ 20V	-	4A, 8A	Invertente, Non invertente	20 V	6,5ns, 4,5ns	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SC-74A, SOT-753	PG-SOT23-5-1
FAN3111ESX IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5 onsemi	63 665 In magazzino	1 : € 0,57000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,25859 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Non verificato	Lato inferiore	Singolo	1	MOSFET (canale N)	4,5 ~ 18V	-	1,4A, 1,4A	Non invertente	-	9ns, 8ns	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SC-74A, SOT-753	SOT-23-5
DRV8300NRGER IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 24VFQFN Texas Instruments	10 937 In magazzino	1 : € 0,62000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,28237 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Non verificato	High-side, low-side	Trifase	3	MOSFET (canale N)	5 ~ 20V	0,8V, 2V	750mA, 1,5A	Invertente, Non invertente	105 V	12ns, 12ns	-40°C ~ 125°C (TA)	-	-	A montaggio superficiale	24-VFQFN piazzola esposta	24-VQFN (4x4)
MCP1416T-E/OT IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5 Microchip Technology	32 449 In magazzino	1 : € 0,64000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,48194 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Non verificato	Lato inferiore	Singolo	1	IGBT, MOSFET (canale N, canale P)	4,5 ~ 18V	0,8V, 2,4V	1,5A, 1,5A	Non invertente	-	20ns, 20ns	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SC-74A, SOT-753	SOT-23-5
MCP1416RT-E/OT IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5 Microchip Technology	13 926 In magazzino	1 : € 0,64000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,48194 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Non verificato	Lato inferiore	Singolo	1	IGBT, MOSFET (canale N, canale P)	4,5 ~ 18V	0,8V, 2,4V	1,5A, 1,5A	Non invertente	-	20ns, 20ns	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SC-74A, SOT-753	SOT-23-5
IRS44273LTRPBF IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5 Infineon Technologies	8 416 In magazzino	1 : € 0,64000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,28695 Nastrato in bobina (TR)	µHVIC™	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Non verificato	Lato inferiore	Singolo	1	IGBT, MOSFET (canale N)	10,2 ~ 20V	0,8V, 2,5V	1,5A, 1,5A	Non invertente	-	25ns, 25ns	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SC-74A, SOT-753	SOT-23-5
1EDN7550BXTSA1 IC GATE DRVR HIGH-SIDE SOT23-6 Infineon Technologies	1 164 In magazzino	1 : € 0,64000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,28733 Nastrato in bobina (TR)	EiceDRIVER™	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Non verificato	High-side, low-side	Singolo	1	GaN FET, MOSFET (canale N)	4.5 ~ 20V	-	4A, 8A	Non invertente	200 V	6,5ns, 4,5ns	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-23-6	PG-SOT23-6
MCP1402T-E/OT IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5 Microchip Technology	43 042 In magazzino	1 : € 0,65000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,51163 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Non verificato	Lato inferiore	Singolo	1	IGBT, MOSFET (canale N, canale P)	4,5 ~ 18V	0,8V, 2,4V	500mA, 500mA	Non invertente	-	19ns, 15ns	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SC-74A, SOT-753	SOT-23-5
MCP1415T-E/OT IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5 Microchip Technology	12 908 In magazzino	1 : € 0,65000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,48194 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Non verificato	Lato inferiore	Singolo	1	IGBT, MOSFET (canale N, canale P)	4,5 ~ 18V	0,8V, 2,4V	1,5A, 1,5A	Invertente	-	20ns, 20ns	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SC-74A, SOT-753	SOT-23-5
MCP1401T-E/OT IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5 Microchip Technology	11 324 In magazzino	1 : € 0,65000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,49054 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Non verificato	Lato inferiore	Singolo	1	IGBT, MOSFET (canale N, canale P)	4,5 ~ 18V	0,8V, 2,4V	500mA, 500mA	Invertente	-	19ns, 15ns	-40°C ~ 125°C	-	-	A montaggio superficiale	SC-74A, SOT-753	SOT-23-5
IRS10752LTRPBF IC GATE DRVR HIGH-SIDE SOT23-6 Infineon Technologies	2 997 In magazzino	1 : € 0,65000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,29793 Nastrato in bobina (TR)	µHVIC™	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Non verificato	Lato superiore	Singolo	1	MOSFET (canale N)	10 ~ 18V	0,8V, 2,2V	160 mA, 240 mA	Non invertente	100 V	85ns, 40ns	-40°C ~ 125°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-23-6	PG-SOT23-6
IX4310TTR IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5 IXYS Integrated Circuits Division	1 023 In magazzino 9 000 Fabbrica	1 : € 0,71000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,32647 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT)	Attivo	Non verificato	Lato inferiore	Indipendente	1	MOSFET (canale N, canale P)	4.5 ~ 20V	0,8V, 2,5V	2A, 2A	CMOS, TTL	-	7ns, 7ns	-40°C ~ 125°C (TA)	-	-	A montaggio superficiale	SC-74A, SOT-753	SOT-23-5
LM5109BMAX/NOPB IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC Texas Instruments	64 247 In magazzino	1 : € 0,72000 Nastro pre-tagliato (CT) 2 500 : € 0,34441 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Non verificato	Semiponte	Indipendente	2	MOSFET (canale N)	8 ~ 14V	0,8V, 2,2V	1A, 1A	Non invertente	108 V	15ns, 15ns	-40°C ~ 125°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)	8-SOIC
UCC27517DBVR IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5 Texas Instruments	29 722 In magazzino	1 : € 0,72000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,33451 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Non verificato	Lato inferiore	Singolo	1	IGBT, MOSFET (canale N)	4,5 ~ 18V	1V, 2,4V	4A, 4A	Invertente, Non invertente	-	8ns, 7ns	-40°C ~ 140°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SC-74A, SOT-753	SOT-23-5
FAN3111CSX IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5 onsemi	14 293 In magazzino	1 : € 0,73000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,33972 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Non verificato	Lato inferiore	Singolo	1	MOSFET (canale N)	4,5 ~ 18V	-	1,4A, 1,4A	Invertente, Non invertente	-	9ns, 8ns	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SC-74A, SOT-753	SOT-23-5
2EDN7524FXTMA1 IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC Infineon Technologies	11 653 In magazzino	1 : € 0,76000 Nastro pre-tagliato (CT) 2 500 : € 0,35005 Nastrato in bobina (TR)	EiceDRIVER™	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Non per nuovi progetti	Non verificato	Lato inferiore	Indipendente	2	MOSFET (canale N)	4.5 ~ 20V	-	5A, 5A	Non invertente	-	5,3ns, 4,5ns	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)	PG-DSO-8-60
FAN3100TSX IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5 onsemi	6 986 In magazzino	1 : € 0,81000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,37821 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Non verificato	Lato inferiore	Singolo	1	MOSFET (canale N)	4,5 ~ 18V	0,8V, 2V	3A, 3A	Invertente, Non invertente	-	13ns, 9ns	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SC-74A, SOT-753	SOT-23-5
UCC27511DBVR IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6 Texas Instruments	2 458 In magazzino	1 : € 0,83000 Nastro pre-tagliato (CT) 3 000 : € 0,39000 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Non verificato	Lato inferiore	Singolo	1	IGBT, MOSFET (canale N)	4,5 ~ 18V	1V, 2,4V	4A, 8A	Invertente, Non invertente	-	8ns, 7ns	-40°C ~ 140°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	SOT-23-6	SOT-23-6
MIC5019YFT-TR IC GATE DRVR HIGH-SIDE 4TQFN Microchip Technology	36 903 In magazzino	1 : € 0,87000 Nastro pre-tagliato (CT) 5 000 : € 0,68848 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Non verificato	Lato superiore	Singolo	1	MOSFET (canale N)	2,7 ~ 9V	0,8V, 3V	-	Non invertente	-	-	-40°C ~ 125°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	4-UDFN piazzola esposta, 4-TMLF®	4-TQFN (1,2x1,2)
IX4427NTR IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC IXYS Integrated Circuits Division	9 180 In magazzino	1 : € 0,90000 Nastro pre-tagliato (CT) 2 000 : € 0,43385 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Non verificato	Lato inferiore	Indipendente	2	MOSFET (canale N, canale P)	4,5 ~ 30V	0,8V, 2,4V	1,5A, 1,5A	Non invertente	-	10ns, 8ns	-40°C ~ 125°C (TA)	-	-	A montaggio superficiale	8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)	8-SOIC
DGD2304S8-13 IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO Diodes Incorporated	8 289 In magazzino	1 : € 0,91000 Nastro pre-tagliato (CT) 2 500 : € 0,43772 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	Non verificato	Semiponte	Indipendente	2	IGBT, MOSFET (canale N)	10 ~ 20V	0,7V, 2,3V	290 mA, 600 mA	Non invertente	600 V	70ns, 35ns	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	A montaggio superficiale	8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)	8-SO

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I circuiti integrati di gestione della potenza (PMIC) per gate driver sono dispositivi che forniscono isolamento, amplificazione, spostamento di riferimento, bootstrapping o altre funzioni necessarie per interfacciare i segnali di un dispositivo di controllo in un'applicazione di conversione di potenza ai dispositivi a semiconduttore (solitamente FET o IGBT) attraverso i quali passa l'alimentazione da controllare. Le funzioni specifiche offerte da un particolare dispositivo variano, ma sono correlate alla configurazione dei semiconduttori che deve pilotare.

Gate driver

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