Canale N 80 V 35A (Ta), 168A (Tc) 5W (Ta), 113,6W (Tc) A montaggio superficiale PMPAK® 5 x 6
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Canale N 80 V 35A (Ta), 168A (Tc) 5W (Ta), 113,6W (Tc) A montaggio superficiale PMPAK® 5 x 6
YAGEO XSemi N- and P-Channel Power MOSFETs PIO | DigiKey

XP8NA2R2CXT

Codice DigiKey
5048-XP8NA2R2CXTTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
5048-XP8NA2R2CXTCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
5048-XP8NA2R2CXTDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
YAGEO XSEMI
Codice produttore
XP8NA2R2CXT
Descrizione
MOSFET N-CH 80V 35A 168A PMPAK
Tempi di consegna standard del produttore
16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 80 V 35A (Ta), 168A (Tc) 5W (Ta), 113,6W (Tc) A montaggio superficiale PMPAK® 5 x 6
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
YAGEO XSEMI
Serie
XP8NA2R2C
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
80 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
35A (Ta), 168A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
6V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
2,2mohm a 20A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
179 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
9328 pF @ 60 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
5W (Ta), 113,6W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
PMPAK® 5 x 6
Contenitore/involucro
8-PowerLDFN
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 2,33000€ 2,33
10€ 1,49800€ 14,98
100€ 1,02600€ 102,60
500€ 0,82392€ 411,96
1 000€ 0,75898€ 758,98
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3 000€ 0,77107€ 2 313,21
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 2,33000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 2,84260