XP83T03GJB YAGEO XSEMI | Prodotti a semiconduttore discreti

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XP83T03GJB
Codice DigiKey	5048-XP83T03GJB-ND
Produttore	YAGEO XSEMI
Codice produttore	XP83T03GJB
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 75A TO251S
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 75 A (Tc) 60W (Tc) Foro passante TO-251S
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	YAGEO XSEMI
Serie	XP83T03
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	75 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	6mohm a 40A, 10V
Vgs(th) max a Id	3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	34 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1840 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	60W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	TO-251S
Contenitore/involucro	TO-251-3 conduttori corti, IPAK, TO-251AA
Codice componente base	XP83