XP83T03GJB YAGEO XSEMI | FET, MOSFET singoli

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XP83T03GJB
Codice DigiKey	5048-XP83T03GJB-ND
Produttore	YAGEO XSEMI
Codice produttore	XP83T03GJB
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 75A TO251S
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 75 A (Tc) 60W (Tc) Foro passante TO-251S
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3V a 250µA
Produttore YAGEO XSEMI	Carica del gate (Qg) max a Vgs 34 nC @ 4.5 V
Serie XP83T03	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Tubo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1840 pF @ 25 V
Stato componente Obsoleto	Dissipazione di potenza (max) 60W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio Foro passante
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Contenitore del fornitore TO-251S
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 75 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-251-3 conduttori corti, IPAK, TO-251AA
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base XP83
RDSon (max) a Id, Vgs 6mohm a 40A, 10V

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