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YAGEO XSEMI
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Scheda tecnica
Canale N 600 V 7 A (Tc) 2W (Ta), 56,8W (Tc) A montaggio superficiale TO-252
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Canale N 600 V 7 A (Tc) 2W (Ta), 56,8W (Tc) A montaggio superficiale TO-252
YAGEO XSemi N- and P-Channel Power MOSFETs PIO | DigiKey

XP60SL600DH

Codice DigiKey
5048-XP60SL600DHTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
5048-XP60SL600DHCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
5048-XP60SL600DHDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
XP60SL600DH
Descrizione
MOSFET N-CH 600V 7A TO252
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 600 V 7 A (Tc) 2W (Ta), 56,8W (Tc) A montaggio superficiale TO-252
Scheda tecnica
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Attributi del prodotto
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Categoria
Produttore
Serie
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Obsoleto
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
600 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
600mohm a 2A, 10V
Vgs(th) max a Id
5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1072 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2W (Ta), 56,8W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
TO-252
Contenitore/involucro
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