Name: XP4N2R1MT
Brand: YAGEO XSEMI
SKU: 5048-XP4N2R1MTTR-ND
Price: 1.6836 EUR
Availability: InStock

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XP4N2R1MT
Codice DigiKey	5048-XP4N2R1MTTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 5048-XP4N2R1MTCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 5048-XP4N2R1MTDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	YAGEO XSEMI
Codice produttore	XP4N2R1MT
Descrizione	FET N-CH 40V 37.5A 170A PMPAK
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 40 V 37,5A (Ta), 170A (Tc) 5W (Ta), 104W (Tc) A montaggio superficiale 8-PMPAK (5x6)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 2,1mohm a 20A, 10V
Produttore YAGEO XSEMI	Vgs(th) max a Id 5V a 250µA
Serie XP4N2R1	Carica del gate (Qg) max a Vgs 154 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 9056 pF @ 20 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 5W (Ta), 104W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 40 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 37,5A (Ta), 170A (Tc)	Contenitore del fornitore 8-PMPAK (5x6)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro 8-PowerLDFN

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Quantità

Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT)

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
3 000	€ 0,37424	€ 1 122,72

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 1,38000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 1,68360

XP4N2R1MT