Canale P 30 V 15,5 A (Ta) 2,5W (Ta) A montaggio superficiale 8-SO
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Canale P 30 V 15,5 A (Ta) 2,5W (Ta) A montaggio superficiale 8-SO
YAGEO XSemi N- and P-Channel Power MOSFETs PIO | DigiKey

XP3P7R0EM

Codice DigiKey
5048-XP3P7R0EMTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
5048-XP3P7R0EMCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
5048-XP3P7R0EMDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
YAGEO XSEMI
Codice produttore
XP3P7R0EM
Descrizione
MOSFET P-CH 30V 15.5A 8SO
Tempi di consegna standard del produttore
16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale P 30 V 15,5 A (Ta) 2,5W (Ta) A montaggio superficiale 8-SO
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
YAGEO XSEMI
Serie
XP3P7R0E
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale P
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
15,5 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
7mohm a 17A, 10V
Vgs(th) max a Id
2V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
52.8 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
±25V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
6880 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2,5W (Ta)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
8-SO
Contenitore/involucro
8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 1,01000€ 1,01
10€ 0,63200€ 6,32
100€ 0,41480€ 41,48
500€ 0,32106€ 160,53
1 000€ 0,29088€ 290,88
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3 000€ 0,24334€ 730,02
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 1,01000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 1,23220