Name: XP3P3R0MT
Brand: YAGEO XSEMI
SKU: 5048-XP3P3R0MTTR-ND
Price: 1.7324 EUR
Availability: InStock

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XP3P3R0MT
Codice DigiKey	5048-XP3P3R0MTTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 5048-XP3P3R0MTCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 5048-XP3P3R0MTDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	YAGEO XSEMI
Codice produttore	XP3P3R0MT
Descrizione	FET P-CH 30V 33.5A 125A PMPAK
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 30 V 33,5A (Ta), 125A (Tc) 5W (Ta), 69,4W (Tc) A montaggio superficiale 8-PMPAK (5x6)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 3mohm a 20A, 10V
Produttore YAGEO XSEMI	Vgs(th) max a Id 3V a 250µA
Serie XP3P3R0	Carica del gate (Qg) max a Vgs 122 nC @ 4.5 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 15040 pF @ 15 V
Tipo FET Canale P	Dissipazione di potenza (max) 5W (Ta), 69,4W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 33,5A (Ta), 125A (Tc)	Contenitore del fornitore 8-PMPAK (5x6)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerLDFN

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Quantità

Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT)

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
3 000	€ 0,39080	€ 1 172,40

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 1,42000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 1,73240

XP3P3R0MT