Name: XP3P080N
Brand: YAGEO XSEMI
SKU: 5048-XP3P080NTR-ND
Price: 0.3416 EUR
Availability: InStock

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XP3P080N
Codice DigiKey	5048-XP3P080NTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 5048-XP3P080NCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 5048-XP3P080NDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	YAGEO XSEMI
Codice produttore	XP3P080N
Descrizione	MOSFET P-CH 30V 3.2A SOT23
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 30 V 3,2 A (Ta) 1,25W (Ta) A montaggio superficiale SOT-23
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 60mohm a 3A, 10V
Produttore YAGEO XSEMI	Vgs(th) max a Id 1,2V a 250µA
Serie XP3P080	Carica del gate (Qg) max a Vgs 13.6 nC @ 4.5 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±12V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1296 pF @ 15 V
Tipo FET Canale P	Dissipazione di potenza (max) 1,25W (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 3,2 A (Ta)	Contenitore del fornitore SOT-23
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 2,5V, 10V	Contenitore/involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 0,28000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 0,34160

XP3P080N