Name: XP3NA3R4MT
Brand: YAGEO XSEMI
SKU: 5048-XP3NA3R4MTTR-ND
Price: 0.8784 EUR
Availability: InStock

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XP3NA3R4MT
Codice DigiKey	5048-XP3NA3R4MTTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 5048-XP3NA3R4MTCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 5048-XP3NA3R4MTDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	YAGEO XSEMI
Codice produttore	XP3NA3R4MT
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 29.2A 73A PMPAK
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 29,2A (Ta), 73A (Tc) 5W (Ta), 31,25W (Tc) A montaggio superficiale 8-PMPAK (5x6)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 3,4mohm a 19A, 10V
Produttore YAGEO XSEMI	Vgs(th) max a Id 2,3V a 250µA
Serie XP3NA3R4	Carica del gate (Qg) max a Vgs 36.8 nC @ 4.5 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3360 pF @ 15 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 5W (Ta), 31,25W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 29,2A (Ta), 73A (Tc)	Contenitore del fornitore 8-PMPAK (5x6)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerLDFN

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Quantità

Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
3 000	€ 0,15892	€ 476,76
6 000	€ 0,15125	€ 907,50

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 0,72000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 0,87840

XP3NA3R4MT