Name: XP3NA2R4MT
Brand: YAGEO XSEMI
SKU: 5048-XP3NA2R4MTTR-ND
Price: 1.1102 EUR
Availability: InStock

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XP3NA2R4MT
Codice DigiKey	5048-XP3NA2R4MTTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 5048-XP3NA2R4MTCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 5048-XP3NA2R4MTDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	YAGEO XSEMI
Codice produttore	XP3NA2R4MT
Descrizione	FET N-CH 30V 36.5A 118A PMPAK
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 36,5A (Ta), 118A (Tc) 5W (Ta), 52W (Tc) A montaggio superficiale 8-PMPAK (5x6)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 2,4mohm a 20A, 10V
Produttore YAGEO XSEMI	Vgs(th) max a Id 3V a 250µA
Serie XP3NA2R4	Carica del gate (Qg) max a Vgs 65.6 nC @ 4.5 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 5600 pF @ 15 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 5W (Ta), 52W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 36,5A (Ta), 118A (Tc)	Contenitore del fornitore 8-PMPAK (5x6)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerLDFN

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Quantità

Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT)

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
3 000	€ 0,21006	€ 630,18

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 0,91000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 1,11020

XP3NA2R4MT