Name: XP3N9R5AH
Brand: YAGEO XSEMI
SKU: 5048-XP3N9R5AHTR-ND
Price: 0.6222 EUR
Availability: InStock

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XP3N9R5AH
Codice DigiKey	5048-XP3N9R5AHTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 5048-XP3N9R5AHCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 5048-XP3N9R5AHDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	YAGEO XSEMI
Codice produttore	XP3N9R5AH
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 38.5A TO252
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 38,5A (Ta) 2W (Ta), 22,7W (Tc) A montaggio superficiale TO-252
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 9,5mohm a 20A, 10V
Produttore YAGEO XSEMI	Vgs(th) max a Id 3V a 250µA
Serie XP3N9R5A	Carica del gate (Qg) max a Vgs 14.4 nC @ 4.5 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1280 pF @ 15 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta), 22,7W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 38,5A (Ta)	Contenitore del fornitore TO-252
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63

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Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 0,51000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 0,62220

XP3N9R5AH