Name: XP3N028EN
Brand: YAGEO XSEMI
SKU: 5048-XP3N028ENTR-ND
Price: 0.4636 EUR
Availability: InStock

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XP3N028EN
Codice DigiKey	5048-XP3N028ENTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 5048-XP3N028ENCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 5048-XP3N028ENDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	YAGEO XSEMI
Codice produttore	XP3N028EN
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 5.4A SOT23
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 5,4 A (Ta) 1,25W (Ta) A montaggio superficiale SOT-23
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	YAGEO XSEMI
Serie	XP3N028E
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	5,4 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	28mohm a 5A, 10V
Vgs(th) max a Id	3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	11.5 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1330 pF @ 15 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1,25W (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SOT-23
Contenitore/involucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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Nastrato in bobina (TR)